Компанія sureCore представила IP- ядро вбудовуваної пам’яті SRAM з наднизьким енергоспоживанням


 
Англійська компанія sureCore , що спеціалізується на розробці об’єктів інтелектуальної власності для інтегральних мікросхем, представила IP- ядро вбудовуваної пам’яті SRAM з наднизьким енергоспоживанням. Воно розраховане на випуск по 28 – нанометровій технології FDSOI і вже випробувано в кремнії . Областю застосування пам’яті названі додатки , де затребуване тривалий час автономної роботи .
Пам’ять розрахована на роботу при напрузі живлення 0,7-1,2 В. У порівнянні з доступною зараз вбудовуваної пам’яттю SRAM вона дозволяє заощадити більше 50 % енергії в динамічному режимі . Статична енергоспоживання менше на 35%. Розробник підкреслює, що така істотна економія енергії досягається ціною незначного (на 10 %) збільшення площі , займаного на кристалі.
Це перший продукт sureCore . У планах компанії на цей рік значиться випуск пам’яті SRAM з наднизьким енергоспоживанням , розрахованої на випуск по 40 – нанометровій технології CMOS, а в перспективі – і по 28 – нанометровій технології CMOS.
Залишається додати, що вбудована пам’ять SRAM є одним з ключових компонентів мікроконтролерів і однокристальних систем .
Джерело: sureCore
sureCore

Оставить комментарий

Ваш email не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *

Вы можете использовать это HTMLтеги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>